Samsung a développé la première DRAM HBM3E à 12 couches au monde, dotée d'une bande passante record de 1 280 Go/s (ou 1,28 To/s) et pouvant stocker 36 Go de données. La puce s'appelle HBM3E 12H et par rapport à la mémoire HBM3 8H à huit couches, elle offre des performances au moins 50 % supérieures.
Les mémoires de l'architecture HBM sont constituées de plusieurs modules DRAM disposés verticalement. Dans le cas de la dernière mémoire de Samsung, chacun des 12 modules DRAM (c'est-à-dire des piles) a une capacité de 24 Go (soit 3 Go). Les principaux producteurs de ce type de mémoire sont actuellement Samsung, SK Hynix et Micron, qui se font concurrence depuis des années et développent des puces de ce type de plus en plus complexes, en essayant d'y installer de plus en plus de modules, qui sont en même temps temps plus minces et ont des dimensions, une capacité et un débit de plus en plus grands.
Les trois sociétés annoncent qu'elles lanceront cette année d'autres versions de ces mémoires, dont la demande ne cesse de croître, principalement en raison des applications de plus en plus exigeantes utilisant les technologies de l'IA (intelligence artificielle). Samsung a révélé qu'il utilise une feuille de compression non conductrice (TC NCF) dans sa mémoire, ce qui donne à 12 couches la même hauteur que 8 couches. Le film de nouvelle génération est tout simplement plus fin, ce qui s'applique également aux espaces séparant les différentes couches. En conséquence, la mémoire HBM3E à 12 couches a une densité près de 20 % supérieure à celle de la mémoire HBM3 à 8 couches.
Samsung rapporte que les performances et la capacité plus élevées de la mémoire HBM3E 12H permettront aux clients de réduire le coût total de possession de leurs centres de données. Dans le même temps, pour les applications d'IA, la vitesse moyenne d'entraînement de l'IA peut alors être augmentée de 34 % et le nombre d'utilisateurs simultanés de services d'inférence peut être multiplié par 11,5 par rapport aux mémoires HBM3 8H.
La société a déjà fourni à ses clients des échantillons de test de mémoire HBM3E 12H et prévoit de démarrer la production en série au premier semestre de cette année.
